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台积电2nm制程取得巨大成功,将切入GAA技术_科技频道_

发布日期:2020-07-16 00:55   来源:未知   阅读:

追求先进制程一直是台积电、三星等芯片厂商一直努力的方向。更先进的制程拥有密度更高的IC电路设计,意味着在同样大小面积的IC中,可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计,也就能达到更高的性能。

如今台积电已经量产了7nm工艺并即将投产5nm。而三星虽然在7nm时代落后于台积电,但三星想要在5nm时代弯道超车,并宣称要在2030年前超过台积电。

不过最近有消息称台积电在2nm先进制程研究方面有了重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around,简称GAA)技术。

消息称三星已决定在3nm率先导入GAA技术,并宣称要到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位。因此台积电研发一刻也不敢松懈,积极投入2nm研发,并获得技术重大突破,成功找到切入GAA路径。

台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界以此推断,台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间。

台积电今年4月曾表示,3nm仍会沿用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,主要考虑是客户在导入5nm制程后,采用同样的设计即可导入3nm制程,可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。

由于FinFET技术即将在7nm之后的某个节点下变得不可用,所以业界一直在探索新的技术。

而 Gate-All-Around环绕式栅极技术也就是GAA应运而生。其原理由于过于深奥我们就不过多赘述。

而三星对外宣称的GAA技术英文名为 Multi-Bridge Channel FET,缩写为 MBCFET。三星对此作出的解释是,目前主流的纳米线 GAA 技术,沟道宽度较小,因此往往只能用于低功率设计,并且制造难度比较高,因此三星没有采用这种方案。并且三星认为 FinFET在5nm和4nm工艺节点上都依旧有效,因此在3nm时代三星才开始使用新的MBCFET技术。

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